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产品参考图片
DS1230AB-120IND 图片
DS1230AB-120IND
  • 制造厂商:美信半导体(Maxim)
  • 类别封装:存储器,产品封装:28-DIP 模块(0.600,15.24mm)
  • 技术参数:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
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    专营美信芯片半导体
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:DS1230AB-120IND
  • 制造商:美信半导体(Maxim Integrated,ADI)
  • 描述:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
  • 产品系列:存储器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:NVSRAM
  • 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM)
  • 存储容量:256Kb(32K x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:120ns
  • 访问时间:120ns
  • 电压-供电:4.75V ~ 5.25V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:通孔
  • 产品封装:28-DIP 模块(0.600,15.24mm)
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