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DS1217M-L04
制造厂商：美信半导体（Maxim）
类别封装：存储器 - 模块，30-卡边缘盒式模块
技术参数：RAM READ/WRITE NV LO LEAK 4MEG
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技术参数详情：
制造商产品型号: DS1217M-L04制造厂家名称: Maxim Integrated功能总体简述: RAM READ/WRITE NV LO LEAK 4MEG系列: -存储器类型: NVRAM存储容量: 512KB速度: 250ns封装/外壳: 30-卡边缘盒式模块现在可以订购DS1217M-L04，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
